當(dāng)前位置：首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 光電探測(cè)器 > 銦鎵砷探測(cè)器 > InGaAs點(diǎn)元探測(cè)器LD-GAP500

InGaAs點(diǎn)元探測(cè)器LD-GAP500

更新時(shí)間：2023-08-18

簡(jiǎn)要描述：

InGaAs點(diǎn)元探測(cè)器LD-GAP500
三元體系InAs/GaAs 的帶隙涵蓋從InAs 的0.35eV （3.5μm）到GaAs 的l. 43eV（0.87μm）的范圍。通過(guò)改變InGaAs 吸收層的合成成分，可以使光電探測(cè)器的響應(yīng)度在終用戶(hù)所要求的波長(zhǎng)條件下達(dá)到大值，從而提高信噪比。

打印當(dāng)前頁(yè)

發(fā)郵件給我們：ld@leadingoe.com

分享到：

產(chǎn)品介紹：

InGaAs點(diǎn)元探測(cè)器LD-GAP500

三元體系InAs/GaAs 的帶隙涵蓋從InAs 的0.35eV (3.5μm) 到GaAs 的l. 43eV(0.87μm) 的范圍。通過(guò)改變InGaAs 吸收層的合成成分，可以使光電探測(cè)器的響應(yīng)度在終用戶(hù)所要求的波長(zhǎng)條件下達(dá)到大值，從而提高信噪比。

Pin characteristics(Ta=25℃)

parameter	unit	Typical value
Active aperture	mm	1				2					3
package	——	TO-46		6CLCC		TO-39			8CLCC		TO-39	4CLCC
Wavelength range	μm	0.9-1.7	0.5-1.7	0.9-1.7	0.5-1.7	0.9-1.7	0.5-1.7		0.9-1.7	0.5-1.7	0.9-1.7
Modol No.(LAPD-)	---	1000	1000S	1000-C	1000S-C	2000	2000S		2000-C	200S-C	3000	3000-C
R@0.65um.0V	A/W	0.05	0.35	0.05	0.35	0.05	0.35		0.05	0.35	0.05	0.05
R@0.85um.0V	A/W	0.20	0.50	0.20	0.50	0.20	0.50		0.20	0.50	0.20	0.20
R@1.31um.0V	A/W	0.9
R@1.55um.0V	A/W	1.0
Shunt resistance	MW	50				25					10
Dark current@-5V	nA	5				10					25
capacitance@0V	pF	80		170		400		600			1500	2500
NEP@1.55um	pW/Hz^1/2	0.02				0.04					0.06

InGaAs點(diǎn)元探測(cè)器LD-GAP500

Pin characteristics(Ta=25℃)

parameter	unit	Typical value
Active aperture	mm	1		2		3
thickness	μm	300
Wavelength range	μm	0.9-1.7	0.5-1.7	0.9-1.7	0.5-1.7	0.9-1.7
Modol No.(PIN-)	---	1000	1000s	2000	2000s	3000
R@0.65um.0V	A/W	0.05	0.35	0.05	0.35	0.05
R@0.85um.0V	A/W	0.20	0.50	0.50	0.50	0.20
R@1.31um.0V	A/W	0.9
R@1.55um.0V	A/W	1.0
Shunt resistance	MW	80		25		10
Dark current@-5V	nA	5		10		25
capacitance@0V	pF	140		500		1500
NEP@1.55um	pW/Hz^1/2	0.02		0.04		0.06

波長(zhǎng)擴(kuò)展型InGaAs探測(cè)器

Paremeter	Active area（mm）	Cut off wavelength	A/W min. (typ.)	NEP W/ÖHz min.	Dark Current max.	Package
LD-GAP500	0.5	1.7um	0.95@1550nm	0.8x10^-14	30 @5V(nA)	TO46
LD-GAP1000	1	1.7um	0.95@1550nm	1x 10^-14	100 @5V(nA)	TO46
LD-GAP2000	2	1.7um	0.95@1550nm	3 x10^-14	200 @1V(nA)	TO5
LD-GAP3000	3	1.7um	0.95@1550nm	5 x10^-14	500 (@1V(nA)	TO5
LD-GAP5000	5	1.7um	0.95@1550nm	28 x10^-14	10mA(@0.3V(nA)	TO5
LD-GAP300-1.9	0.3	1.9um	0.9/1.0	3 x10^-14	0.1@1V(uA)	TO46
LD-GAP500-1.9	0.5	1.9um	0.9/1.0	9 x10^-14	0.9@1V(uA)	TO46
LD-GAP1000-1.9	1	1.9um	0.9/1.0	0.13 x10^-12	4@1V(uA)	TO46
LD-GAP2000-1.9	2	1.9um	0.9/1.0	0.26x10^-12	10@1V(uA)	TO5
LD-GAP3000-1.9	3	1.9um	0.9/1.0	0.38 x10^-12	22.5@1V(uA)	TO5
LD-GAP300-2.05	0.3	2.05um	0.9/1.0	5.7 x10^-14	0.5@1V(uA)	TO46
LD-GAP500-2.05	0.5	2.05um	0.9/1.0	8.1 x10^-14	1@1V(uA)	TO46
LD-GAP1000-2.05	1	2.05um	0.9/1.0	23.4 x10^-14	4@1V(uA)	TO46
LD-GAP2000-2.05	2	2.05um	0.9/1.0	42.8 x10^-14	10@1V(uA)	TO5
LD-GAP3000-2.05	3	2.05um	0.95/1.1	90.7 x10^-14	12@0.5V(uA)	TO5
LD-GAP300-2.2	0.3	2.2um	0.9/1.0	0.14x10^-12	1@1V(uA)	TO46
LD-GAP500-2.2	0.5	2.2um	0.9/1.0	0.22x10^-12	5@1V(uA)	TO46
LD-GAP1000-2.2	1	2.2um	0.9/1.0	0.46x10^-12	10@1V(uA)	TO46
LD-GAP2000-2.2	2	2.2um	0.9/1.0	1.28 x10^-12	40@1V(uA)	TO5
LD-GAP3000-2.2	3	2.2um	0.9/1.0	2.87x10^-12	100@1V(uA)	TO5
LD-GAP300-2.6	0.3	2.6um	0.9/1.0	0.81x10^-12	13@1V(uA)	TO46
LD-GAP500-2.6	0.5	2.6um	0.9/1.0	1.43x10^-12	20@0.5V(uA)	TO46
LD-GAP1000-2.6	1	2.6um	0.9/1.0	2.03x10^-12	80@0.5V(uA)	TO46
LD-GAP2000-2.6	2	2.6um	1.0	3.31x10^-12	320@0.5V(uA)	TO5
LD-GAP3000-2.6	3	2.6um	1.0	5.74x10^-12	500@0.5V(uA)	TO5

提供專(zhuān)業(yè)定制，封裝形式多樣，可根據(jù)客戶(hù)要求選擇封裝形式，并可依據(jù)需求定制TE制冷產(chǎn)品。

Paremeter	Active area（mm）	Cut off wavelength	A/W min. (typ.)	NEP W/ÖHz min.	Dark Current max.	Package
LD-GAP1000TE1	1	1.7um	0.95/1.0	5.4x10^-15	3@5V(nA)	TO5/TO37/TO8/TO66
LD-GAP2000TE1	2			1.1x10^-14	20@2V(nA)
LD-GAP3000TE1	3			1.1x10^-14	50@2V(nA)
LD-GAP5000TE1	5			2.4x10^-14	100@0.1V(nA)
LD-GAP1000TE1-2.05	1	2.05um	0.9/1.0	5.4x10^-14	500@1V(nA)	TO5/TO37/TO8/TO66
LD-GAP2000TE1-2.05	2			1.3x10^-13	1100@1V(nA)
LD-GAP3000TE1-2.05	3			3.2x10^-13	1360@1V(nA)
LD-GAP1000TE1-2.2	1	2.2um	0.9/1.0	1.6x10^-13	1250@1V(nA)	TO5/TO37/TO8/TO66
LD-GAP2000TE1-2.2	2			1.1x10^-12	5000@1V(nA)
LD-GAP3000TE1-2.2	3			5.5x10^-13	6250@0.5V(nA)
LD-GAP1000TE1-2.6	1	2.6um	0.9/1.0	6x10^-13	8000@0.5V(nA)	TO5/TO37/TO8/TO66
LD-GAP2000TE1-2.6	2			9.8x10^-13	32000@0.5V(nA)
LD-GAP3000TE1-2.6	3			1.7x10^-12	50000@0.5V(nA)
LD-GAP1000TE2	1	1.7um	0.95/1.0	3.7x10^-15	2@5V(nA)	TO8/TO66
LD-GAP2000TE2	2			5.3x10^-15	10@2V(nA)
LD-GAP3000TE2	3			7.5x10^-15	20@2V(nA)
LD-GAP5000TE2	5			1.7x10^-14	50@0.1V(nA)
LD-GAP1000TE2-2.05	1	2.05um	0.9/1.0	3.7x10^-14	200@1V(nA)	TO8/TO66
LD-GAP2000TE2-2.05	2			9.6x10^-14	240@1V(nA)
LD-GAP3000TE2-2.05	3			2x10^-13	700@0.5V(nA)
LD-GAP1000TE2-2.2	1	2.2um	0.9/1.0	1.2x10^-13	700@1V(nA)	TO8/TO66
LD-GAP2000TE2-2.2	2			2.9x10^-13	2900@1V(nA)
LD-GAP3000TE2-2.2	3			4.1x10^-13	3600@0.5V(nA)
LD-GAP1000TE2-2.6	1	2.6um	0.9/1.0	4x10^-13	3600@0.5V(nA)	TO8/TO66
LD-GAP2000TE2-2.6	2			6.5x10^-13	14500@0.5V(nA)
LD-GAP3000TE2-2.6	3			1.1x10^-12	22700@0.5V(nA)

留言框

產(chǎn)品：
您的單位：
您的姓名：
聯(lián)系電話(huà)：
常用郵箱：
省份：
詳細(xì)地址：
補(bǔ)充說(shuō)明：
驗(yàn)證碼：

請(qǐng)輸入計(jì)算結(jié)果（填寫(xiě)阿拉伯?dāng)?shù)字），如：三加四=7

上一篇 : 制冷相機(jī)制冷短波紅外相機(jī) 下一篇 : GEMINIS 327k ML德國(guó)雙波段熱像儀

當(dāng)前位置：首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 光電探測(cè)器 > 銦鎵砷探測(cè)器 > InGaAs點(diǎn)元探測(cè)器LD-GAP500

InGaAs點(diǎn)元探測(cè)器LD-GAP500

簡(jiǎn)要描述：

留言框

產(chǎn)品：

您的單位：

您的姓名：

聯(lián)系電話(huà)：

常用郵箱：

省份：

詳細(xì)地址：

補(bǔ)充說(shuō)明：

驗(yàn)證碼：